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解決方案

氧化行業(yè)解決方案: DE壁板氧化再生工藝流程; DE壁板氧化再生工藝; 服務(wù)履歷

Open mask行業(yè)解決方案: Open Mask操作流程; QC 流程圖; Open Mask清洗工藝流程; Open Mask清洗規(guī)格說明; 清洗規(guī)格

半導(dǎo)體行業(yè)解決方案: 光伏清洗再生工藝流程-載板; 半導(dǎo)體部件清洗再生工藝流程

陶瓷熔射行業(yè)解決方案: DE陶瓷部件清洗再生工藝流程; DE陶瓷部件清洗工藝; 服務(wù)履歷; 部件表面處理工藝流程; 陶瓷熔射簡介; 陶瓷熔射業(yè)務(wù); 產(chǎn)品展示（光電）; 產(chǎn)品展示（半導(dǎo)體）; 產(chǎn)品展示（半導(dǎo)體ESC）; 陶瓷熔射技術(shù)模塊; 陶瓷熔射衍生工藝（退鍍技術(shù)）; 陶瓷熔射衍生工藝（氧化新工藝）; 部件表面處理工藝流程; 性能測試氧化新工藝性能指標(biāo); 陶瓷熔射衍生工藝（清洗再生工藝）; 部件表面處理工藝流程; 洗凈再生技術(shù)能力; 特別產(chǎn)品（上電級的處理）; 服務(wù)履歷

洗凈行業(yè)解決方案: PVD部件清洗再生工藝流程; 服務(wù)履歷; CF部件清洗再生工藝流程; IMP清洗工藝流程; 服務(wù)履歷; 內(nèi)襯板部件清洗再生工藝流程; 服務(wù)履歷; 品控能力; 洗凈再生技術(shù)能力; 高階制程精密洗凈優(yōu)勢; 光伏清洗再生工藝流程-載板

CVD行業(yè)解決方案: CVD部件清洗再生工藝流程-Diffuser; CVD部件清洗再生工藝流程-Backing Plate; CVD部件清洗再生工藝流程1-Susceptor; CVD部件清洗再生工藝流程2-Susceptor; CVD部件清洗再生工藝流程-Shadow Frame; 核心技術(shù); 服務(wù)履歷

加工行業(yè)解決方案: 加工部件清洗工藝流程; 加工部件清洗工藝; 服務(wù)履歷

Open Mask操作流程

QC 流程圖

For Ag/MG/YB鍍膜清洗流程及輔助臺車說明

Open Mask清洗工藝流程

① IQC

對來料的mask進(jìn)行外觀檢查，檢查過程全程錄像，避免雙方確認(rèn)結(jié)果不一致。

強(qiáng)光檢查mask表面是否有折傷、擊傷、劃傷、脫焊等異常。

暗室檢查mask表面是否有臟污，銹斑。

檢查過程中對異常問題進(jìn)行圖示標(biāo)注，郵件發(fā)給客戶進(jìn)行確認(rèn)。

對mask表面進(jìn)行TP、CD兩個(gè)項(xiàng)目的檢測，TP及CD 檢測P各36個(gè)點(diǎn)位。

② 化學(xué)除膜

化學(xué)除膜：將mask平移至自動(dòng)清洗線上，按程序設(shè)定的浸泡時(shí)間進(jìn)行化學(xué)浸泡及DI純水清洗（純水阻值為：＞10MΩ）。

化學(xué)除膜-lif：使用60度熱DI純水浸泡45min，DI純水沖洗2遍后,放入DI純水槽內(nèi)浸泡15分鐘。

化學(xué)除膜-Mg/Ag：使用電子級雙氧水溶液進(jìn)行化學(xué)除膜，浸泡時(shí)間50min,（每15min檢測槽內(nèi)反應(yīng)狀態(tài)及槽液濃度）。

③ 純水浸泡

使用超聲波震蕩的方法去除mask表面殘留的藥液及微顆粒，確保mask表面潔凈（功率：1200w，頻率：40Hz，時(shí)間15min）。

④ 防銹清洗

對除膜后的mask做IPA沖洗10min以上,確保表面無銹跡殘留。

自動(dòng)清洗線升降速度為5mm/S，左右移動(dòng)速度為10mm/S（程序可設(shè)定為手動(dòng)或自動(dòng)）。

⑤ 烘干

將mask搬運(yùn)至專干燥車上對表面進(jìn)行檢查確認(rèn)，要求無水漬殘留。

暗室內(nèi)強(qiáng)光燈檢查mask表面是否有水印殘留，如有水印可使用純水擦拭，后使用酒精擦干。

將mask固定后放入專用無塵干燥箱內(nèi)，干燥過程禁止打開烘箱，干燥溫度：60±1℃，干燥時(shí)間180min。

干燥箱開啟后充入氮?dú)猓ＷC干燥箱內(nèi)為正壓5-10Mpa。

Open Mask清洗規(guī)格說明

Mask缺陷區(qū)域以及定義
序號	區(qū)域	說明規(guī)格說明	圖示
1	A區(qū)	Panel矢鍵鍍膜區(qū)域
2	B區(qū)	對位Mark、設(shè)計(jì)標(biāo)示區(qū)域
3	C區(qū)	焊點(diǎn)區(qū)域
4	D區(qū)	Frame區(qū)域

Mask清洗規(guī)格
No	項(xiàng)目	規(guī)格說明	Recycle前	Recycle后	備注
1	TP	<50um	<30um	<30um	/
2	CD	<50um	<30um	1.<30um 2. Diff <10um	/

3	平坦度	<350um	TBD	1.<250um 2. Diff< 50um	/

清洗規(guī)格

序號	缺陷	說明	清洗前		清洗后
1	折傷	不允許	不允許		不允許
2	擊傷	A區(qū):不允許 B區(qū):無定義 C區(qū):無定義 D區(qū):無定義	A區(qū):不允許B區(qū):無定義 C區(qū):無定義D區(qū):無定義		A區(qū):不允許B區(qū):無定義 C區(qū):無定義 D區(qū):無定義
3	銹斑	不允許	允許清理		不允許
4	臟污	1.可清除處理者·不計(jì)(風(fēng)槍、酒精擦拭) 2.不可清除者: A/B區(qū):不允許 C/D區(qū):目視不可見	1.可清除處理者·不計(jì)(風(fēng)槍、酒精擦拭 2.不可清除者: A/B區(qū):不允許 C/D區(qū):目視不可見		1.可清除處理者,不計(jì)(風(fēng)槍、酒精擦拭) 2.不可清除者: A/B區(qū):不允許C/D區(qū):目視不可見
5	劃傷	1.無感劃傷: 深度≤5um屬無感刮·不計(jì)
		2.有感劃傷
		全球潔凈生產(chǎn)設(shè)備服務(wù)的領(lǐng)先企業(yè)		OK
6	Particle &化學(xué) 殘?jiān)?/td>	1.可清除處理者·不計(jì)(風(fēng)槍、酒精擦拭) 2.不可清除者: A/B區(qū):不允許 C/D區(qū):目視不可見	NA		1.可清除處理者·不計(jì)(風(fēng)槍、酒精擦拭) 2.不可清除者: A/B區(qū):不允許C/D區(qū):目視不可見
7	焊點(diǎn)	焊點(diǎn)不能出現(xiàn)脫焊	焊點(diǎn)不能出現(xiàn)脫焊		焊點(diǎn)不能出現(xiàn)脫焊
8	TP點(diǎn)、Mark 等標(biāo)示開口堵塞	A區(qū):不允許B區(qū):不允許 C區(qū):無定義D區(qū):無定義	A區(qū):不允許B區(qū):不允許 C區(qū):無定義D區(qū):無定義		A區(qū):不允許B區(qū):不允許 C區(qū):無定義D區(qū):無定義
9	鍍膜殘留	A區(qū):不允許B區(qū):不允許 C區(qū):無定義D區(qū):無定義	NA		A區(qū):不允許B區(qū):不允許 C區(qū):無定義D區(qū):無定義

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